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    半導體元件物理學(上冊)
    編/著者: 施敏/伍國王玉
    出版日期:2008-08-01
    ISBN:9789868439511
    定價:900元
    參考分類(CAT):教育學習
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    內容簡介
    這本經典的書籍在半導體元件領域中,樹立了先進的研究以及參考的標準,現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織,以反應元件概念以及品質上的巨大進展。第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上,使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性,包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件。非常適合作為電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。也適合作為半導體產業工程師與科學家的參考資料,可說是半導體相關領域人員必讀的聖經。  本書為施敏教授與Kwok K.Ng 博士所撰寫的「半導體元件物理」(Physics of Semiconductor Devices, Wiley)第三版之中譯本,第一版於1969年問世後就陸續被翻譯成6種語言,施敏教授撰寫第一版時,在短短的一年半當中,讀完兩千篇研究論文,並從中挑出六百篇做重點整理,幾乎看完當時所有的相關論文。第二版於1981年再度問世,在全世界銷售量已超過百萬冊以上,廣為大學、工業以及研究機構所採用,目前在學術界已被引用超過一萬五千次,為當代工程及應用科學領域中被引用最多的文獻。最近發行第三版,與第二版相隔26年,除了保存前二版的精華外,並增加許多符合時代潮流的內容,根據施敏老師的說法:「這26年間的半導體發展並沒有新的元件被商品化的產出,但是所有元件卻是高速地朝輕、薄、短、小,且速度倍增的發展。這次的新書內容超過了百分之五十的更新與重新編排,雖然基本的寫法不變,但其實是更淺顯易懂。基本上,只要讀完這本書的人都可以看得懂專業的論文期刊」。新版的內容包含:將最新的發展徹底更新。新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。將材料完全重新組織。在每一章的後面設立問題集。所有的圖以最高的品質重新繪製。  為了使工程師、科學家、大學教師以及學生了解今日所使用最重要的元件,以及評估未來元件的品質與限制,本書提供了實踐的基礎。
    作者介紹
    作者簡介施敏教授  施敏教授獲台灣大學學士學位,美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務,1990年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非揮發性記憶體(包括EEPROM以及快閃記憶體)。曾發表科技論文超過200篇,以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】(Wiley)?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻(依ISI資料超過一萬六千次)。施敏教授獲選為IEEE Fellow,中央研究院院士及美國國家工程院院士等。伍國(王玉)博士  1975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室(1996年成為?訊科技的一部份),2001年服務於美商Agere公司(位於賓夕法尼亞州的艾倫鎮),自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人,為【半導體元件完全指南】第二版(Wiley)的作者。譯者簡介張鼎張教授  現任國立中山大學物理系教授,擅長半導體元件物理、積體電路製程以及薄膜電晶體平面顯示器技術,曾獲徐有庠科技講座及教育部產學合作獎等獎項,近年已發表200餘篇SCI國際期刊論文以及獲得100餘項國內外發明專利。劉柏村副教授  目前任教於國立交通大學光電工程學系,專長包括:光電顯示科技技術、積體電路技術、奈米電子以及半導體記憶體元件技術。曾榮獲96年中國電機工程學會「優秀青年電機工程師獎」,國際電機電子工程師學會資深會員(IEEE Senior Member),並且受邀為美國史丹福大學電機系訪問教授。在科技人才培育與教學方面,曾指導學生研究榮獲「第十二屆科林論文獎」碩士論文頭等獎,榮獲田家炳傑出教學獎、國立交通大學電機學院傑出教學獎,以及獲選為國立交通大學優良教學教師。
    目次
    導論第一部份 半導體物理第一章 半導體物理及特性—回顧篇1.1 簡介1.2 晶體結構1.3 能帶與能隙1.4 熱平衡狀態下的載子濃度1.5 載子傳輸現象1.6 聲子、光和熱特性1.7 異質接面與奈米結構1.8 基本方程式與範例第二部份 元件建構區塊第二章 p-n接面2.1簡介2.2 空乏區2.3 電流-電壓特性2.4 接面崩潰2.5 暫態行為與雜訊2.6 終端功能2.7 異質接面第三章 金屬-半導體接觸3.1 簡介3.2 位障的形成3.3 電流傳輸過程3.4 位障高度的量測3.5 元件結構3.6 歐姆接觸第四章 金屬-絕緣體-半導體電容器4.1 簡介4.2 理想MIS電容器4.3 矽MOS電容器第三部份 電晶體第五章 雙載子電晶體 ( BJT ) 5.1 簡介5.2 靜態特性5.3 微波特性5.4 相關元件結構5.5 異質接面雙載子電晶體第六章 金氧半場效電晶體 ( MOSFET ) 6.1 簡介6.2 基本元件特性6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件6.4 元件微縮與短通道效應6.5 MOSFET結構6.6 電路應用6.7 非揮發性記憶體元件6.8 單電子電晶體第七章 接面場效電晶體 ( JFET )、金屬半導體場效電晶體 ( JFET )以及調變摻雜場效電晶體 ( MODFET ) 7.1 簡介7.2 JFET和MESFET7.3 MODFET附錄符號表國際單位系統 □(□SI Units□)單位前綴詞希臘字母物理常數重要半導體的特性Si與GaAs之特性SiO2 與Si3N4 之特性索引